1.

Квазіхімічні реакции между дефектами в CdTe, легированному металлами III-АЯ подгруппы: Автореф. дис... канд. хим. наук: 02.00.21 / О.О. Коров'янко / НАН Украины. Ін-т пробл. материаловедения им. И.М.Францевича. - К., 2003. - 19 с.: рис. - укр. На основании экспериментальных результатов получен новый набор (CH-5) оптимізованих констант дефектоутворення в CdTe в рамках теории Каргера. Составленная на основе набора CH-5 компьютерная программа моделирования дефектной структуры CdTe разрешает прогнозировать свойства материала при условиях высокотемпературного равновесия точкових дефектов, после условного гартування, а также после відігріву матераілу к комнатной температуре

2.

Процессы інтеркаляції діхалькогенідів d-переходных металлов с слоистыми структурами: Автореф. дис... д-ра хим. наук: 02.00.21 / Л.М. Куліков / НАН Украины. Ін-т пробл. матеріалознав. им. И.М.Францевича. - К., 2002. - 36 с. - укр. Установлены механизмы и физико-химические характеристики совмещенных процессов інтеркаляції (біінтеркаляції) металлами и синтеза халькогенідів с участием химических транспортных реакций (транспортировочный агент - йод) во время получения порошков (монокристалів) інтеркалятів из исходных элементов, а также из паровой фазы; внедрения молекулярного, атомарного водорода (дейтерия), кислорода из газовой фазы; диспергування к нанокристалічних размерам с использованием процессов інтеркаляції, активированных ультразвуковой, электрохимической действиями. Изучены структурные, физические и физико-химические свойства новых інтеркальованих, нанокристалічнихсполук.

3.

Физико-химические закономерности структурных переходов в конденсированных фазах на основе кадмий телуриду: Автореф. дис... д-ра хим. наук: 02.00.21 / Л.П. Щербак / НАН Украины. Ін-т пробл. матеріалознав. им. И.М.Францевича. - К., 2003. - 36 с.: рис. - укр. Проведены изучения структуры кристаллов с использованием рентгеноструктурного, микрорентгеноспектрального, микроструктурного, радиометрического методов анализа т измерения микротвердости. Установлено, что присущий исходному кристаллу тетраедрична координация и ковалентный тип связи сохраняются в расплавах CdTe, CdTe + 2(20) мл. % In, CdTe + 2(6) мл. % Ge по крайней мере до 1 825 К, что свидетельствует о микрогетерогенности реальных расплавов полупроводников в широком интервале температур. Определено, что в расплаве CdTe + 2 мл. % Sn за температур выше 1500 К проявляется заметный вклад металлической компоненты проводимости, которая есть следствием увеличения координационного числа компонентов гратки в присутствия многозарядного иона. Измерениями термоэлектродвижущей силы расплава до 1 825 К выявлена тонкая структура процесса топления CdTe и его неизотермический, постадійний характер, который являть признаком характерного для полупроводников явления післятоплення.за методами ДТА эндотермических процессов за определенных температур перегрева расплава, который сопровождается ростом его вязкости (структурирования) в узком интервале температур післятоплення на параметры процесса кристаллизации, которая свидетельствует про "химическую память" расплавов. Установлены критические температуры реорганизации структуры расплавов. Сделан вывод относительно возможности полиморфного преобразования кристаллической гратки в интервале температур передтоплення. Проанализированы результаты исследования в границах теории самоорганизации в нерівноваженихсистемах.