1.

Аналоговые биполярные интегральные схемы для сенсорной техники: Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.01 / Р.Л. Голяка / Нац. ун-т "Львов. политехника". - Л., 2002. - 32 с. - укp. Предложена концепция разработки специализированных биполярных аналоговых интегральных схем (ІС) для сенсорной техники, которая базируется на единстве алгоритмических, схемотехнічних, конструктивных и технологических решений за комплексом задач обеспечения режимов питания, формирования характеристик преобразования и термостабілізації микроэлектронных сенсоров нового поколения. Предложены методы сквозного моделирования и автоматизированного проектирования аналоговых ІС сенсорной техники. Разработаны алгоритмы функционирования и структуру специализированных интегральных термокомпенсаторів и сенсорных устройств с внутренним термостатуванням. Предложен дифференционный механизм функционирования канала теплопередачи твердотільних ІС, что базируется на явлении теплопередачи. Приведенный механизм положен к основе нового багатопрофільного компонентf - теплокерованого операционного усилителя. Раскрыты теоретические аспекты и принципы реализации широкой серии сенсорных ІС с питанием за сигнальной шиной и с ожидаемым режимом функціонуванння. Обгрунтовано выбор конструктивно-технологічнихбазисів.

2.

Измерительные генераторные частотные преобразователи для промышленных микроэлектронных датчиков: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Н.А. Омельчук / Херсон. держ. техн. ун-т. - Херсон, 2003. - 20 с.: рис. - укp. Исследован и разработаны измерительные устройства для технологического оборудования, которые могут работать в промышленных помещениях, загрязненных электромагнитными шумами. Проведен сравнительный анализ датчиков технологических параметров с амплитудно-модулированным исходным сигналом, на основании которого показана перспективность применения частотных датчиков в составе оборудования. Разработана методика анализа нестабильности начальной частоты измерительного частотного устройства (ВЧП), а также разработана методика выбора оптимальных, по критерию нестабильности, соотношений параметров схемы автогенератора, который дает возможность добиться важного снижения нестабильности начальной частоты (для некоторых схем до двух раз). Предложена новая схема ВЧП для датчиков технологических параметров на базе автогенератора с діодно-ємнісним фазозміщувачем, которая имеет высокую линейность характеристики преобразования. Сформулирован условия самовозбуждения автогенератора на основной и высших гармониках. Разработаны новые шумовые модели для RC- и LC-генераторов, выполнен анализ шумовых моделей автогенераторов разных типов на ОП и предоставлена сравнительная оценка их флуктуаційної нестабильности. Показано, что порог чувствительности генераторного датчика ограниченный кратковременной нестабильностью частоты (ли периода) автогенератора, который выполняет функции промежуточного преобразователя. Приведены схемные решения ВЧП, а также методики расчета, использованные во время разработки микропроцессорных систем для установки ультразвукового сваривания, с целью оптимизации технологического процесса сборки силовых транзисторных модулей на базе IGBT.

3.

Влияние контактных неоднорідностей на электрические характеристики диодов Анна: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / В.М. Челюбеєв / Нац. техн. ун-т Украины "Киев. політехн. ін-т". - К., 2002. - 18 с.: рис. - укp. Выявлена двухмерная картина границы деления катодных контактов с полупроводником и показано, что степень его неоднородности определяет форму вольтамперної характеристики (ВАХ) и пробивное напряжение диодов. Разработаны диоды Анна с кольцевыми катодным контактами и методику анализа отказов

4.

Влияние технологии выращивания на микромеханические свойства епітаксійних структур на основе GaAs: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / С.Р. Сєліверстова / Херсон. держ. техн. ун-т. - Херсон, 2000. - 17 с. - укp. Приведены результаты комплексных исследований взаимного влияния микромеханических свойств, морфологии и структурного совершенства гомо- и гетероепітаксійних структур на основе арсеніда галлия, изучен условия их получения. Показано, что технологические условия выращивания - температура процесса выращивания, ориентация и структурное совершенство материала подбоя, состав раствора во время рідкофазної епітаксії, тип и концентрация примеси имеют влияние на микромеханические свойства полученных структур. Впервые исследован подбоя GaAs, легированные Si, которые не имели дислокаций. Показано, что микротвердость чувствительная к степени компенсации носителей заряда. Разработана новая методика наблюдения перемещения дислокаций в поле механических напруг. С помощью данной методики исследованы микромеханические свойства и напряженное состояние гетероструктур за наличием сетки дислокаций несоответствия на гетеромежі (на примере Ge - GaAs), что возникает вследствие расхождений параметров кристаллических граток подбоя и пласта, и показано, что развитие деформации в гетероструктурі Ge - GaAs изменяет свое направление после достижения гетеромежі.

5.

Влияние gamma-радиации и НВЧ излучения на параметры GaAs полевых транзисторов с барьером Шотткі: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / О.Е. Ренгевич / НАН Украины. Ін-т физики полупроводников. - К., 2001. - 19 с.: рис. - укp. Исследования влияния НВЧ излучения на параметры ПТШ показали, что изменение характеристик наступает даже за незначительных сроков обработки. Вследствие влияния НВЧ излучения увеличивается высота барьера, а фактор идеальности уменьшается. Экспериментально доказано, что, аналогично случая gamma-облучения, существует диапазон сроков обработки, в котором возможное улучшение ПАРАМЕТРІВПТШ.

6.

Диэлектрические фазообертачі сверхвысоких частот: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / В.А. Казміренко / Нац. техн. ун-т Украины "Киев. політехн. ін-т". - К7, 2003. - 17 с. - укp. Приведен способ п'єзомеханічного управления постоянной распространения в волноводе с частичным диэлектрическим заполнением, пригодный для создания фазообертачів. Проанализирована чувствительность разных типов волн к управляющему фактору, предложены мероприятия по улучшению чувствительности низшего типа колебаний и подавления высших типов волн. Важным преимуществом предложенного фазообертача есть отсутствие фундаментального ограничения диапазона рабочих частот, благодаря которой конструкция может быть применена на более высоких частотах. Разработаны электродинамические модели интегральных линий передачи на многослойных диэлектрических основах, проведен анализ фазообертачів с их использованием. Установлена необходимость использования широкосмугових согласительных трансформаторов, разработан алгоритм их анализа и проектирования. Предоставлен рекомендации относительно выбора параметров управляемой пленки, основы и геометрии электродов. Предложен способ почти трехкратного повышения эффективности управления гибридными фазообертачами за счет сильного возмущения электромагнитного поля линии путем введения сильной неоднородности в виде воздушного зазора сменной ширины, а именно путем отрыва от основы сигнального проводника мікрополоскової линии, закрепленного на подвижной диэлектрической пластине. С использованием результатов исследование определено принципы создания диэлектрических фазообертачів сверхвысокочастотных, которые отличаются высокими показателями и имеют более широкий диапазон рабочих частот. С целью измерения параметров объемных материалов с высокими значениями диэлектрической проницаемости и потерь усовершенствован нерезонансный метод передачи/короткого замыкания отрезка линии передачи с использованием диэлектрических трансформаторов. Для измерения параметров тонких интегральных диэлектрических пленок разработан оригинальный хвилеводний метод недеструктивного контроля

7.	Исследования физико-технологических процессов импульсного лазерного напилення и модификации свойств тонких пленок многокомпонентных металооксидів и телуридів кадмия-ртути: Автореф. дис...канд. техн. наук: 05.27.06 / В.К. Савчук / Держ. ун-т "Львов. политехника". - Львов, 2000. - 20 с.: рис. - укp.

8.

Электронный кондуктометричний анализ електрофізичних параметров элементов біосистем и их моделирования: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.02 / Сбейх Рафат Ауні Ісса / Нац. техн. ун-т Украины "Киев. політехн. ін-т". - К., 2000. - 19 с. - укp. Исследованы електрофізичні свойства элементов біосистем на примере жидкостных сред и на этой основе осуществлен диагностику их состояния. Определены классификационные признаки кондуктометричних исследовательских приемов біосистем. Разработан біоелектронні, биохимические и схемотехнічні модели процессов, которые протекают в биологических тканях. Проанализированы статистические характеристики результатов измерения импедансов біопроб и законы распределения погрешностей измерения. Внедрены методы агрегатирования электронных и компьютерных методов накопления и анализа биологических проб для диагностирования заболеваний муковісцидозом в детских больницах и санаториях, медико-санитарных частях предприятий и шпиталях, где решаются задача массового обзора населения и интенсивного надзора

9.

Комбинированные структуры НВЧ с диэлектрическим резонансом Э-типа: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Д.Д. Татарчук / Нац. техн. ун-т Украины "Киев. політехн. ін-т". - К., 2000. - 20 с. - укp. Исследован вопрос разработки электродинамических моделей комбинированных структур НВЧ с Э-типом колебаний и разработки на их основе новых элементов управляемых селективных приборов НВЧ. Разработаны принципы управления параметрами комбинированных структур с диэлектрическим резонансом Э-типом, электродинамические модели, которые разрешают избирать оптимальные конструкции комбинированных структур с Э-типом (Тм-типом) колебаний и пристроил на их базе, конструкции данных структур, которые могут перестроюватися в широком диапазоне частот. Исследованы полупроводниковые структуры такого типа для интеграции активных и пассивных устройств. Приведены методы измерения НВЧ параметров диэлектрических материалов на основе комбинированных структур такого типа

10.

Конструкции и технология электронных логических устройств на основе Нвч-мікроелементів с контурным гістерезисом: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / О.Ю. Небеснюк / Херсон. держ. техн. ун-т. - Херсон, 2003. - 17 с.: рис. - укp. Выявлен, подтвержден и исследовано явление контурного гістерезису в твердотілих микроэлектронных элементах с структурой приборов міждоменного электронного переноса (МЕП). Теоретически обосновано и экспериментально подтверждена математическая модель электронных процессов в системе взаимосвязанных сверхвысокочастотных (НВЧ) микроэлементов, который учитывает міждоменний характер переноса заряда, на базе которой разработаны аппаратурно-технологические принципы создания нового класса однокристальных интегрированных Нвч-пристроїв. Предложен новые схемотехнічні и технологические решения по вопросам создания логических управляющих систем на микровакуумных и твердотілих Нвч-мікроелементах, которые моделируют за основными показателями функционирования живой клетки и имитируют біопольові информационные влияния на организм. Разработан новый тип микроэлектронных резонансных датчиков широкого назначения в виде интегрированных однокристальных твердотілих Нвч-мікролементів на основе арсенида галлия, предложена технология их изготовления

11.

Методы и аппаратура контроля структурно-геометрического совершенства полупроводниковых материалов и структур в условиях их серийного производства: Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.06 / А.П. Оксанич / Харк. нац. ун-т радіоелектрон. - Х., 2002. - 34 с. - укp. Разработан науково-обгрунтовані методы для контроля деформаций, механических напруг структурного совершенства и создание на их основании принципов конструирования измерительного и ростового оснащения, с помощью которого безразрушительным методом експресно контролируются на всех стадіях полупроводникового производства геометрические параметры и внутреннее напряжение полупроводниковых пластин и структур, а также создана аппаратура для контроля структурного совершенства полупроводниковых кристаллов в процессе выращивания. Предложен методики и конструкции плоских инфракрасных полярископов "Мираж-1" и "Мираж-2". Исследованы технологические процессы высокотемпературной обработки. Висвітлено методику контроля плотности дислокаций во время исследования жесткости кремниевых структур выявлен новое явление: изменение формы (згибу) кремниевых структур после приложения імпульса нагрузка с высокой скоростью

12.

Микроэлектронные сенсоры на основе Кні-структур с рекристалізованим пластом поликремния: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Ю.М. Ховерко / Нац. ун-т "Львов. политехника". - Л., 2003. - 20 с. - укp. Исследован особенности создания Кні-структур (кремний на изоляторе) с прогнозируемыми характеристиками пластов поликремния и влияния лазерной рекристаллизации на их свойстве. Приведены результаты исследований електрофізичних и п'єзорезистивних свойств полікремнійових рдел в Кні-структурах в широком интервале температур, в том числе криогенному. Определены механизмы перенесения носителей заряда в рекристалізованих пластах поликремния для разных интервалов температур и степеней легирования исходного материала. Показано влияние магнитного поля на электропроводность пластов поликремния в Кні-структурах. Приведен рекомендации относительно использования полікремнійових рдел, рекристалізованих лазерным излучением, в микроэлектронных сенсорах для разных интервалов температур. Разработана технология изготовления микроэлектронных сенсоров давления и давления-температуры. Установлен особенности процесса формирования мембран чувствительных элементов сенсоров с использованием оригинальной методики анизотропного пищеварения. Разработан микроэлектронные п'єзорезистивні сенсоры давления на основе Кні-структур для аэродинамических исследований, медико-биологические назначения, сенсоры усилия т емкостные сенсоры давления, а также многофункциональные сенсоры для одновременные измерения давления и температуры на основе Кні-структур, исследован они характеристики т параметры

13.

Приближенная нелинейная теория релятивистских и нерелятивистских автофазних приборов сверхвысоких частот: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.02 / Хамід Аллах Мохаммед / Нац. техн. ун-т Украины "Киев. політехн. ін-т". - К., 2003. - 18 с. - укp. Создана приближенная нелинейная теория и разработаны методы расчета автофазних сверхвысокочастотных (НВЧ) приборов - нового класса электронно-вакуумных мощных нерелятивистских и релятивистских приборов НВЧ, работа которых базируется на явлении увлечения электронов полем электромагнитной волны. С помощью анализа физических процессов выделены основные черты взаимодействия в автофазних лампах волны, которая бежит, с азімутально-несиметричним полем (АДБХ-Н) и в автофазних лазерах на свободных электронах (АЛВЕ). Сохранение только этих черт в математическом описании этого взаимодействия дало возможность резко упростить первичные уравнения движения и высокочастотного поля. Упрощенные уравнения разрешимы с использованием разных вариантов метода усреднения. Получены простые аналитические розв'язки, которые служит основой для приближенных теорий АЛБХ-Н и АЛВЕ. На базе этих теорий развит методики расчета основных параметров этих приборов. Сравнительно результаты за приближенными теориями с точными данными, которые подтвердило довольно высокую точность приближенных расчетов, благодаря чему предложен новый режим работы АЛБХ-Н, значительно более эффективный, чем известный классический режим работы (длина прибора в новом режиме уменьшенная в 1,5-3 разы в сравнении с его длиной в классическом режиме при условиях неизменного уровня коэффициента полезного действия прибора).

14.

Сверхчистые структурно совершенные монокристали кремния для детекторов и приемников излучения: Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.06 / Ю.В. Трубіцин / Херсон. держ. техн. ун-т. - Херсон, 2001. - 36 с. - укp. Изучен вопрос разработки технологии получения и исследования електрофізичних параметров сверхчистых и структурно совершенных монокристалів Si для детекторов и приемников излучений. Построен и экспериментально обосновано завершенный комплект физических и математических моделей процессов для расчета технологических режимов безтигельного зонного очищения и выращивание сверхчистых монокристалів Si с заданными електрофізичними и структурными параметрами, определения пригодности поликристаллического Si для получения сверхчистых монокристалів Si. Изложены результаты комплексного исследования разнообразных источников технологических загрязнений. Реализованы новые дополнительные процессы низкотемпературной и радиационно-термической реабилитации електрофізичних параметров сверхчистых бездислокационных монокристалів Si и повышение их упругости во время механических операций. Рассмотрены научные и практические основы промышленных методов высокоточного и однородного легирования монокристалів Si разнообразными примесями, нейтронно-трансмутаційного и гамма-трансмутаційного легирование Si.

15.

Оптические свойства ультрадисперсных конденсатов металлов: Автореф. дис. канд... техн. наук: 05.27.01 / О.В. Мачулянський / Нац. техн. ун-т Украины "Киев. політехн. ін-т". - К., 2003. - 19 с. - укp. Впервые предложен аналитическое решение обратной задачи спектрофотометричної системы уравнений теории Розенберга для двумерной однослойной ультрадисперсной металлической системы. Разработан спектроаналітичні методы определения оптических характеристик маленьких металлических частичек по данным спектрофотометричних и электронно-микроскопических измерений на дво- и трехмерных ультрадисперсных металеводіелектричних системах. Выявлен рост значений удельной комплексной поляризации и снижение на два порядка величины проводимости в случае уменьшения размера частичек никеля и хрома

16.

Особенности некоторых соединений с нестабильной граткою для устройств электронной техники: Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.06 / А.Д. Шевченко / Нац. ун-т "Львов. политехника". - Л., 2000. - 30 с. - укp. Экспериментально исследовано влияние внешних действий и, в частности, высоких давлений на получение и физические свойства структурно нестойких материалов, перспективных для народно-хозяйственного применения. С использованием гидравлического пресса усилием 2000 т и твердофазних камер высокого давления типа "тороїд" и "сочка" при условиях высокого давления разработан композиционный демпфірувальний материал на основе нікеліда титана для применения его как віброгасного элемента в устройствах электронной техники, а также в резальном и буровом инструментах из сверхтвердых материалов. Изучены физические свойства полученного демпфірувального материала для определения эффективности его практического использования. С помощью техники высокого давления разработана технология получения при условиях высокого давления іттрієвої и висмутовой высокотемпературных надпровідникових (ВТНП) керамик, а также технологию смачивания медью при условиях высокого давления поверхности полученной ВТНП керамики. Для определения возможностей практического использования материалов с нестабильной граткою изучен особенности физических свойств этих материалов во время действия на них термомеханічних нагрузок. Установлен также закономерности изменения электронной структуры и динамики кристаллической гратки за фазовых преобразований в структурно нестійкихматеріалах.

17.	Получения структур с квантовыми ямами, гетероструктур и тонких пленок полупроводников А4 В6 и исследования их свойств: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / С.М. Давиденко / НАН Украины. Ін-т физики полупроводников. - К., 2001 - укp.

18.

Получения и исследования кремниевых структур с алмазными и алмазоподібними пленками: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Т.В. Семікіна / Нац. техн. ун-т Украины "Киев. політехн. ін-т". - К., 2001. - 21 с. - укp. Исследован вопрос создания гетеропереходу алмазных (АП) и алмазоподібних пленок (АПП)/кремний, который имеет выпрямительные свойства и повышенную фоточувствительность в ультрафиолетовой области излучения. Определен метод осаждения и технологические режимы, которые разрешает получать пленку АП или АПП с управляемыми свойствами. Установлена взаимосвязь структуры и фазового состава АП и АПП с условиями осаждения. Определена зависимость между содержимым азота в газовой смеси и електрофізичними, фотоэлектрическими свойствами гетеропереходу АПП/Si. На базе фотоемкостного эффекта рассчитаны параметры структуры АПП/Si. С использованием АПП/Si разработан новый тип фотоэлектрического датчика, который работает в широком спектральном диапазоне (200 - 1000 нм). Исследована деградация параметров солнечных элементов с защитным покрытием из АПП под действием потоков високоенергетичних протонов и электронов. Доказано, что АПП, полученные плазмо-хімічним осаждением за высоких напруг автозміщення (-300 В), обеспечивают высокую стабильность и радиационную стойкость характеристик солнечных элементов, шо разрешает использовать данные АПП как защитные и просвітлювальні покрытия фотоэлектрических преобразователей космического назначения

19.	Повышение стабильности параметров технологических электронных пушек высоковольтного тлеющего разряда: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.02 / Тугай Борис Андреевич / Национальный технический ун-т Украины "Киевский политехнический ін-т". - К., 2000. - 19 с. - укp.

20.

Приборы с зарядовой связью в применении к устройствам считывания из багатоелементних ІЧ фотоприемников: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / В.П. Рев / НАН Украины. Ін-т физики полупроводников. - К., 2003. - 16 с.: рис. - укp. Разработан конструкции входных и исходных приборов с зарядовой связью (ПЗЗ) с применением биполярных и МДП транзисторов, а также технологию создания таких устройств, которое дает возможность получать покращені характеристики входных и исходных устройств - линейность, динамический диапазон, навантаженоздатність. Установлен зависимости эффективности переноса заряда от конструкции и технологии изготовления ПЗЗ за криогенных температур. Предложена последовательность технологических операций и проведена оптимизация ряда технологических процессов для достижения высокой эффективности. С целью обеспечения полного тестирования всех элементов пристроил считывание разработано конструкцию специальных тестуючих элементов. Представлена методика тестирования и отбора схем считывания на равные кремнійових пластин за комнатных температур с прогнозированием их параметров для эксплуатации за криогенных температур. Приведена методика расчетов ухудшения раздельной способности при условиях применения на входных устройствах режимов деления и вычитания (partition, skimming), разработан конструкции входных устройств, которые обеспечивают применение цихрежимів.

21.	Жидкостная епітаксія твердых растворов соединений A4B6 для диодов Шотткі: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Ткачук Андрей Иванович / Херсонский держ. технический ун-т. - Херсон, 2003. - 19 с. - укp.

22.

Разработка высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей на основе кремния: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / В.И. Горбулик / Чернів. нац. ун-т им. Ю.Федьковича. - Черновцы, 2001. - 18 с. - укp. Разработаны высокоэффективные фотоэлектрические преобразователи на основе кремния за счет улучшения рекомбинационных характеристик материала. Применены новые технологические и конструктивные решения. Предложена эффективная технология гетерування рекомбінаційно-активних примесей в кремнии, который состоит в нанесении пленки Ge на тыльную сторону пластины, ионном перемешивании и постімплантаційному отпавшие. Процесс гетерування происходит по счет отличия коэффициентов сегрегации примесей в гетерному пласте и кремниевой пластине, инжекции точкових дефектов и наличия градиента механических напряжений. Доказано, что коэффициент полезного действия (ККД) кремниевых солнечных элементов (СИЕ) можно увеличить в 1,3-1,45 разы осаждением просвітлювальних углеродных пленок за счет уменьшения потерь на отбивание света и пасивації поверхности СИЕ во время плазмовой обработки к и в процессе нанесения покрытия. Приведены варианты конструкции СИЕ разной площади и модулей на них основе

23.	Разработка кремниевых фотодиодов повышенной надежности: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Ю.Г. Добровольський / Чернів. держ. ун-т им. Ю.Федьковича. - Черновцы, 2000. - 17 с. - укp.

24.

Разработка методов и средств обеспечения технологичности Мон-структур микроэлектронных устройств в условиях автоматизированного производства: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / И.В. Данчишин / Чернів. держ. ун-т им. Ю.Федьковича. - Черновцы, 2000. - 17 с. - укp. Разработан комплексный подход относительно физико-технологического моделирования устройств, которые грунтується на декомпозиции конструкции на совокупность областей, синтезе на их основе моделей элементов и пристроил в целом. Это разрешает повысить эффективность проектирования за счет использования в качестве структурных составных моделирования областей элементов, формализации взаимосвязей между ними и упрощения процедуры синтеза конструктивной структуры микроэлектронных устройств (МЕП), вследствие наведения ее соответственно последовательному, параллельному или последовательно-параллельному соединению компонентов структурной схемы. Разработана методика обеспечения технологичности Мон-структур МЕП путем учета дефектности базовых технологических пластов во время выбора на этапе автоматизированного проектирования конструктивно-технологического варианта, который гарантирует необходимый процент выхода пригодных

25.

Разработка оптических носителей информации на основе високороздільних реєструючих сред: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Д.О. Гринько / НАН Украины. Ін-т физики полупроводников. - К., 2002. - 19 с. - укp. Разработан метод создания носителей информации оптических запоминающих устройств на базе однослойных реєструючих сред с незвортнім фазовым переходом, экспериментально исследованы оптические диски и рельефные носители-оригиналы. Обгрунтовано новый подход к синтезу реєструючих сред с заданными параметрами нелинейного взаимодействия со сфокусированным лазерным лучом, который состоит в модификации неорганических пленок органическими соединениями. Исследовано состояние пленок и механизмы влияния модифікуючих соединений на процессы записи и сохранение информации в носителях. Предложен метод непосредственного получения рельефа во время записи за счет различия мольных объемов фаз. Новый метод проектирования носителей информации и носителей-оригиналов, который базируется на диаграммах состояния пленок и модели записи, разрешает согласовать с свойствами пленок и условиями их получения мощность записи, срок сохранения информации, размеры отражений, величину сигнала считывания и прогнозировать выход придатнихносіїв.

26.

Разработка оптоелектронних пристроил для перемещения оптического излучения на основе закрученных структур: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / Б. Даланбаяр / Нац. ун-т "Львов. політехн.". - Л., 2004. - 19 с. - укp. Разработан ряд устройств оптоэлектроники, в которых с помощью конструктивно-технологических методов созданы перемещения лазерного излучения, которое переносит оптическую информацию. Исследован термо-, електро- и магнітооптичні характеристики хіральних редких кристаллов (РК). Рассмотрен процесс переориентации спирали в сегнетоелектричних смектичних РК и связанный с ним процесс рассеяния света на этих структурах. Экспериментально изучены магнітооптичні характеристики смектичного C* редкого кристалла. За методом математического моделирования определено действие распределения поля и конфигурации электродов на процесс распространения света в РК среде и влияние границ разделения в указанном процессе в многослойных структурах с использованием эффекта селективного отбивания в холестеринах

27.

Разработка переключательных р-канальних Мон-структур, управляемых маломощными сигналами: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / В.В. Герасим / Чернів. нац. ун-т им. Ю.Федьковича. - Черновцы, 2001. - 19 с. - укp. Проанализирован требования к переключательным полупроводниковым приборам на основе металл-окисел-полупроводниковых (МОН) структур, а также разрешим задаче из реализации данных требований. Разработана конструкция вертикального Мон-транзистора с каналом, которая разрешает получить высокую плотность упаковки элементов. Оптимізовано технологические методы получения переключательных p-канальных Мон-структур с двойной диффузией. Для снижения дефектности и повышение стабильности их електрофізичних параметров использованы методы гетерування, введенные к оптимальному маршруту формирования Мон-транзисторных структур. Развита математическая модель Мон-транзистора с двойной диффузией в приближении, в котором латеральное распределение примеси вдоль канала есть експоненційним. Исследована возможность изготовления мощных переключательных Мон-транзисторов с использованием мембранных структур на базе использования технологии селективного пищеварения кремния. Показано, что наиболее перспективными являются переключательные Мон-транзисторы, управляемые маломощными сигналами непосредственно от уровней исходных сигналов інтегральнихмікросхем.

28.	Разработка технологий выращивания и исследования великорозмірних монокристалів сложных оксидов для функциональной электроники: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / И.М. Сольський / Нац. ун-т "Львов. политехника". - Л., 2001. - 19 с. - укp.

29.	Разработка травильных композиций и технологических процессов формирования полированных поверхностей подбоев арсенида и антимонида индия для приборов Іч-техніки: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / С.Г. Даниленко / НАН Украины. Ін-т физики полупроводников. - К., 2000. - 15 с. - укp.

30.

Стационарные электрические разряды с однородным выпарыванием электрода в вакууме и их применения в источниках плазмы, ионов и термоионному напиленні: Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.02 / В.А. Саєнко / Нац. техн. ун-т Украины "Киев. політехн. ін-т". - К., 1999. - 29 с. - укp. Представленное рассмотрение свойств и характеристик стационарных электрических разрядов с однородным выпарыванием электрода, при котором размеры области выпарывания співрозмірні с размерами рабочей части электрода, то есть, с все многообразие стационарных электрических разрядов с выпарыванием электрода представляют исключение только разряды с выпарыванием из катодной и анодной пятен вакуумно-дугового разряда. На основе исследованных разрядов разработан более чем 15 конструкций источников плазмы, ионов и плазмовых ускорителей. Они применены в технологии термоионного напилення пленок и покрытий, в том числе в технологии конкретных изделий машиностроения, микромеханики, электроники, радиоизотопных и напівпровідниковихприладів.

31.

Твердотільні давачі температуры и их практическое использование: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / О.Е. Іларіонов / Чернів. нац. ун-т им. Ю.Федьковича. - Черновцы, 2001. - 20 с.: рис. - укp. Разработан конструкции и технологии изготовления твердотільних давачів температуры, а также медный термоперетворювач сопротивления с использованием тонкоплівкових технологий. Особое внимание уделено изучению временной стабильности параметров разработанных термоперетворювачів сопротивления. В качестве метрологического обеспечения для термодавачів использованы Якр-термометр. Закис миди использовано как термометрическое вещество. Сравнения рентгенограмм свіжовиготовленого и образцов закиси миди тридцатилетней давности свидетельствуют о высокой стабильности параметров кристаллической гратки и, соответственно, стабильность закиси миди как химического соединения. На основе разработанных термодавачів создан ряд приборов - дифференционный термомет, терморезистивний анемометр с опосредствованным нагревом термочутливого элемента, измеритель влажности атмосферы в середине КОРПУСІВІС.

32.	Теоретические аспекты технологии выращивания и следующей обработки полупроводниковых твердых растворов на основе соединений {AIIBVI}>: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / С.В. Каверцев / НАН Украины. Ін-т физики полупроводников. - К., 1999. - 18 с. - укp.

33.

Технологические задачи повышения вібротермостійкості кристаллических сцинтиляційних детекторов: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / В.И. Мельник / Харк. держ. техн. ун-т радіоелектрон. - Х., 2000. - 20 с. - укp. Выполнена систематизация известного множества конструктурсько-технологічних наработок для вібротермостійких кристаллических сцинтиляційних детекторов. Доказано, что вібротермостійкість детекторов, в значительной мере, определяется качеством порошковых светло-отбивных оболочек (СО) и степенью согласования тепловых изменений размеров их конструктивных элементов. На основании теории предельного равновесия сыпучего и связного сред осуществлен математическое моделирование процессов формирования СО. Для систем уравнений предельного равновесия усовершенствован метод перехода на сетку характеристик и получены соотношения на декартових координатах. Уточнено правило знаков для касательных напряжений. Получен интеграл внешней нагрузки. На основании моделирования разработан перечень технологических приемов и средств с целью формирования СО и конкретных конструкций детекторов. Возбуждена проблема компенсации несогласованных тепловых изменений размеров основных компонентов конструкции детекторов. Путем экспериментов доказан преимущества предложенных инженерно-технологических решений. Получены вспомогательные аргументы в пользу применения світлодіодного реперного источника для автостабілізації радиометров

34.

Технология изготовления микролинз из капель редких фотополімеризаційних композиций: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Г.П. Лаба / Нац. ун-т "Львов. политехника". - Л., 2002. - 20 с. - укp. Рассмотрен вопрос разработки технологии изготовления микролинз из редких композиций методом фотополимеризации лежачей капли с заданным фокусным расстоянием для потребностей оптоэлектроники. Предложено лабораторное устройство для изготовления микролинз и программное обеспечение для их тестирования. Рассчитан границе применения метода фотополимеризации лежачей капли для изготовления сферических плоско-выпуклых микролинз. Доказано, что для капель со сферической поверхностью контактный угол не зависит от их объема, химическое оседание не искажает формы, которой приобретает капля. Разработан метод прогнозирования и контроля фокусного расстояния микролинз как функциональной зависимости радиуса кривизны микролинзы от объема капли

35.

Технология и производство сцинтиелектронних блоков детектування и приборов на их основе: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Е.О. Даншин / Харк. нац. ун-т радіоелектрон. - Х., 2001. - 20 с. - укp. Исследована элементная база и технологию сцинтиелектронних блоков детектування ионизирующего излучения с целью подготовки к серийному производству. Усовершенствованы технологические операции в процессе изготовления сцинтиляторів из кристаллов ZnSe(Te), что обеспечивает повышение спектрометрических параметров сцинтиелектронних детекторов. На базе портативной ПЕОМ разработан алгоритм работы багатоканального амплитудного анализатора и концепцию построения переносного гамма-спектрометра с минимальным количеством электронных узлов и максимальным использованием процессора ПЕОМ. Рассмотрена концепция построения дозиметров ультрафиолетового излучения с применением современной микропроцессорной элементной базы и детекторов на основе ZnSe(Te).

36.	Усовершенствования технологии выращивания слитков кремния с равномерным распределением кислорода: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / С.Э. Притчин / Харк. нац. ун-т радіоелектрон. - Х., 2003. - 19 с.: рис. - укp.

37.

Физико-технологические основы електронно-йонних методов создания наноструктур функциональных элементов для НВІС: Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.27.01 / В.Г. Вербицький / Нац. техн. ун-т Украины "КПІ". - К., 2003. - 36 с. - укp. Разрешима важная физико-технологическая проблема твердотільної электроники, которая дает возможность выбирать оптимальный метод получения наношарів и структур на их основе с необходимыми характеристиками. Показано, что условия, которые определяют полную управляемость свойствами пленок, есть атомарный состав и регулированная энергия частичек, которые бомбардируют поверхность роста. Полученные результаты дают возможность прогнозировать характеристики пленок и наноструктур на их основе и осознанно подходить к их управлению. Исследовано влияние конструкторско-технологических и эксплуатационных факторов на топологию наноелементів, обосновано их применения во время изготовления НВІС. Разрешима проблема твердотільної интеграции кремниевых и арсенид галієвих технологий и создание на их основе принципиально новых приборов для регистрации, обработки и передачи информации

38.	Физико-технологические особенности формирования субмикронных структур больших интегральных схем: Автореф. дис. д-ра техн. наук: 05.27.01 / С.П. Новосядлий / НАН Украины и Мін-во образования и науки Украины. Ін-т термоэлектричества. - Черновцы, 2003. - 30 с.: рис. - укp.

39.

Формирования полированной поверхности монокристалів телуриду кадмия и твердых растворов на его основе в травильных композициях HNO3 - HHal - комплексоутворювач для приборов электронной техники: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / Е.О. Білевич / НАН Украины. Ін-т физики полупроводников. - К., 2002. - 19 с. - укp. С использованием математического планирования эксперимента построен поверхности одинаковых скоростей пищеварения (диаграммы Гіббса) указанных полупроводников в исследуемых системах растворов с использованием ацетатной, лактатної, тартної и цитратної кислот как комплексоутворювача и хлоридної, бромидної и йодидної как галогенідних кислот. На основании результатов анализа и методами електронно-зондового микроанализа, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии поверхностных пленок, которые получаются после кислотного пищеварения, установлено, что данные пленки неоднородные и обогащенные, в основными, оксидами теллура, а шершавость поверхности изменяется в границах от 0,2 до 0,1 мкм. Установлено влияние химической обработки поверхности на електрофізичні параметры структур Au - p - CdTe. В исследованных системах оптимізовано состав полировальных травильных композиций, разработаны режимы и методы подготовки полированных поверхностей телуриду кадмия и твердых растворов на его основе, испытанных за заводськихумов.

40.

Формирования и исследования двумерных фотонных структур на основе макропористого кремния: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.06 / О.О. Литвиненко / НАН Украины. Ін-т физики полупроводников. - К., 2002. - 17 с. - укp. Исследован вопрос процесса формирования двумерных фотонных структур макропористого кремния за электрохимическим методом для трансформации спектра электромагнитного излучения и разработки лучеиспускательных структур и тепловых приемников. Изготовлен структуры макропористого кремния с диаметром макропор 1-15 мкм и глубиной до 250 мкм.

41.

Фотоакустическая микроскопия с оптимізованою пьезоэлектрической регистрацией сигналов: Автореф. дис... канд. техн. наук: 05.27.01 / О.В. Верцанова / Нац. техн. ун-т Украины "Киев. політехн. ін-т". - К., 2000. - 18 с. - укp. Исследован фотоакустический метод неразорительного контроля качества материалов и изделий электронной техники, повышение его качественных параметров за счет оптимизации пьезоэлектрической регистрации сигналов. По результатам теоретических и практических исследований п'єзоперетворювачів разного типа, условий их работы предложен и применен в фотоакустической микроскопии конструкцию прямоугольного п'єзодатчика біморфного типа, что привело к снижению порога чувствительности микроскопа до 2 мкм. Закономерности, полученные вследствие математического моделирования фотоакустической микроскопии с пьезоэлектрической регистрацией, и использования оптимізованої конструкции п'єзодатчика, разрешили исследовать с большей эффективностью продукцию электронной техники, в том числе, интегральные микросхемы, мікрозварні соединения, тонкоплівкові покрытия, многослойной структуры, т оценить они качество за контрастом полученных фотоакустичнихзображень.